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2025-12-15
随着生成式AI、高效能运算(HPC)和数据中心对内存频率与效率需求的快速提升,新一代内存标准DDR6正朝着量产普及迈进。
据报道,业界预估DDR6将于2027年进入大规模普及期。
目前三星、美光与SK海力士等全球三大DRAM原厂,已率先启动开发计划,聚焦于DDR6芯片、控制器与封装模组的技术突破与产品布局。
根据JEDEC的推进时间表,DDR6主规范已于2024年底完成草案,LPDDR6草案也于2025年第二季对外发布,预计2026年将进入平台测试与验证阶段。
业者分析,DDR6在效能与架构方面皆实现重大突破,起始速率达8800MT/s,产品生命周期内最高可达17600 MT/s,超频模块最终可能达到 21000MT/s的速度,整体效能较DDR5提升约2至3倍。
在架构方面,DDR6采用4×24-bit通道设计,相较DDR5的2×32-bit,在平行处理效率、数据流通与频率使用上更具优势,但同时也对模组I/O设计提出更高要求。
与此同时,由JEDEC标准化的CAMM2,正成为DDR6时代的主流解决方案,CAMM2结合高频宽、高密度、低阻抗与薄型化设计,成功解决DDR5中288引脚DIMM插槽限制。

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