首页 - 科技 > 中国技术再次实现突破！全球最先进的3D NAND存储芯片被发现！

中国技术再次实现突破！全球最先进的3D NAND存储芯片被发现！

发布于：2023-10-25 作者：凹凸曼 阅读：91

知名半导体行业观察机构TechInsights称，在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片，它来自中国顶级的3D NAND制造商长江存储。

中国技术再次实现突破！全球最先进的3D NAND存储芯片被发现！

据悉，TechInsights在2023年7月推出的致态SSD中发现了由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片，这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。

本次的发现，超越了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。

TechInsights表示，尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单， 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。

近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供了机遇，使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

值得注意的是，三星目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此没有在236层(V8) 3D NAND上开发QLC。

但是，三星在上周举行的“内存技术日”上，首次公开了面向移动市场的QLC产品——采用176层(V7)技术的512GB UFS 3.1产品。

SK海力士的主要业务是TLC，而不是QLC产品。

越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。

此前，TechInsights是首批拆解华为Mate 60 Pro的机构，在拆解完之后，TechInsights副主席Dan Hutcheson给出了如下评价：

“这确实是一个令人惊叹的质量水平，是我们始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我们要祝贺中国，能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。”


二维码

扫一扫关注我们

版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不拥有所有权，不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容，欢迎发送邮件至 3941001135@qq.com举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。

上一篇：2024年五一休5天：前后两周上6天！

下一篇：5万元冰箱起火准新娘命丧婚房引网友感叹：家属称买进口就图靠谱安全！

相关文章

客服QQ：3941001135

客服邮箱：3941001135@qq.com

二维码

本站部分文字及图片均来自于网络，如有侵权请及时联系删除处理

Copyright © 2023 本站技术支持0571YP技术支持 苏ICP备2024129037号-1