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2025-05-07
ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机,支持High-NA也就是高孔径,Intel去年抢先拿下了第一台,目前已经在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装部署了两台,正在紧张地研究测试中。
Intel资深首席工程师Steve Carson透露,迄今为止,两台EUV光刻机已经生产了3万块晶圆,当然不算很多,但别忘了这只是测试和研究使用的,并非商用量产,足以证明Intel对于新光刻机是多么的重视。
Steve Carson还强调,完成同样的工作,新款光刻机可以将曝光次数从3次减少到只需1次,处理步骤也从40多个减少到不足10个,从而大大节省时间和成本。
Intel曾透露,新光刻机的可靠性是上代的大约两倍,但没有透露具体数据。
ASML EXE:5000光刻机单次曝光的分辨率可以做到8nm,比前代Low-NA光刻机的13.5nm提升了多达40%,晶体管密度也提高了2.9倍。
当然,Low-AN光刻机也能做到8nm的分辨率,但需要两次曝光,无论时间、成本还是良品率都不够划算。
全速率量产的情况下,ASML EXE:5000光刻机每小时可生产400-500块晶圆,而现在只有200块,效率提升100-150%之多。
Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品,但具体时间和产品未定,有可能在2026年左右量产,或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。
将在今年下半年量产的Intel 18A 1.8nm工艺,仍旧使用现有的Low-NA EUV光刻机,对应产品包括代号Panther Lake的下代酷睿、代号Clearwater Forest的下代至强。
二者都已经全功能正常运行,并开展了客户测试。
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