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纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破!

发布于：2024-12-26 作者：凹凸曼阅读：78

据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。

该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。

这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，达到了大规模制造的要求。

同时，该器件实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作次数（测量时间上限），并且具备持续微缩的潜力。

纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破
传统方案

纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破
驰拓科技创新方案

据了解，SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。